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AFM:界面化學鍵和氧空位增強的In2O3/CdSe-DETA S型異質結用于光催化CO2轉化2023-04-27
S型異質結因其獨特的載流子遷移途徑、優異的載流子分離效率和高氧化還原能力,在光催化二氧化碳還原方面具有巨大的潛力。然而,定向強電子傳輸的精確過程仍然是一個巨大的挑戰。

 

基于此,大連理工大學范科副教授,Dai, Kai(共同通訊作者)等人通過簡單的微波輔助水熱法合成In-O-Cd鍵調制的In2O3/CdSe-DETA S型異質結,用于加速光生電子轉移。
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為了從理論水平上理解電荷轉移的機理,本文通過計算得到了Cd Se (100)和Vo-In2O3?(111)的功函數分別為6.0 eV和6.6 eV。當真空度為0時,費米能級(EF)值與功函數的值相反,因此Vo-In2O3EF比CdSe的負。當Vo-In2O3與CdSe建立異質結時,CdSe中的電子將轉移到Vo-In2O3中,直到EF達到平衡。
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本文進一步研究了Vo-In2O3和CdSe-DETA的能帶結構,當CdSe-DETA與Vo-In2O3接觸時,它的電子將轉移到Vo-In2O3,從而使它們的EF在界面上彎曲,進一步達到平衡。
Vo-In2O3和CdSe-DETA在界面處分別帶負電荷和正電荷,因此在界面處形成了從CdSe-DETA到Vo-In2O3的內電場。當光催化材料處于全光譜照射下時,Vo-In2O3和CdSe-DETA的VB上的電子會被激發并轉移到CB中。
因此,在Vo-In2O3和CdSe-DETA之間構建了氧空位和鍵合配位的S型異質結,可以有效地分離光生載流子并保持氧化還原能力。
Interfacial Chemical Bond and Oxygen Vacancy-Enhanced In2O3/CdSe-DETA S-scheme Heterojunction for Photocatalytic CO2?Conversion.?Adv. Funct. Mater.,?2023, DOI: 10.1002/adfm.202214470.
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.202214470.

 

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