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費(fèi)慧龍/葉龔蘭/趙雙良Small:石墨烯負(fù)載Co-N-C單原子電催化劑助力HER2022-05-16
石墨烯(graphene)負(fù)載的單原子催化劑(SACs)是貴金屬的有前途的替代品,用于催化析氫反應(yīng)(HER),但是它們的性能受到本征活性低和傳質(zhì)不足的限制。基于此,湖南大學(xué)費(fèi)慧龍教授和葉龔蘭副教授、廣西大學(xué)趙雙良教授(共同通訊作者)等人報(bào)道了一種石墨烯負(fù)載的Co-N-C SAC,其具有高度的HER活性。
在文中,作者利用低配位Co-N3基團(tuán)修飾的皺縮和卷曲石墨烯(CoN3-CSG)的合成,其中通過熱沖擊處理實(shí)現(xiàn)皺縮和卷曲的形態(tài)特征,而低配位微環(huán)境是通過在石墨烯基底內(nèi)引入由高溫金屬蝕刻效應(yīng)引起的面內(nèi)納米孔隙來實(shí)現(xiàn)。
獨(dú)特的形態(tài)在很大程度上緩解了石墨烯的重新堆疊相關(guān)問題,從而顯著增強(qiáng)了Brunauer-Emmett-Teller(BET)表面積(與平面對應(yīng)物相比增強(qiáng)了4倍)和電化學(xué)活性表面積(ECSA)(增強(qiáng)了10倍),這可能會進(jìn)一步提高活性位點(diǎn)的暴露程度并促進(jìn)大規(guī)模傳輸。
通過電化學(xué)測量和密度泛函理論(DFT)計(jì)算發(fā)現(xiàn),CoN3-CSG中的Co單原子具有低配位的Co-N3構(gòu)型,這是由于優(yōu)先占據(jù)石墨烯基底中的面內(nèi)孔的外圍,有助于增強(qiáng)本征活性。
得益于這些優(yōu)點(diǎn),CoN3-CSG顯示出異常高的HER活性,在電流密度為10 mA cm-2時(shí)過電位(η)低至82 mV,Tafel斜率為59 mV dec-1,在η=100 mV時(shí)轉(zhuǎn)換頻率(TOF)為0.81 s-1(比Co-N4對應(yīng)物高了約2.6倍),使其成為基于碳負(fù)載Co SACs的最活躍的HER催化劑之一。
Engineering the Morphology and Microenvironment of a Graphene-Supported Co-N-C Single-Atom Electrocatalyst for Enhanced Hydrogen Evolution.?Small,?2022, DOI: 10.1002/smll.202201139.

https://doi.org/10.1002/smll.202201139.

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